سرچشمه مغناطیس

[Jack Daniel'ѕ]

در مقیاس کلان رابطه بین ممان زاویه‌ای و مغناطیس بوسیلهٔ اثر انیشتن-دهاس (چرخش با مغناطیسی کردن) و اثر بارنت (مغناطیسی شدن با چرخش) بیان می‌شود.

در مقیاس خرد این رابطه با نسبت ژیرومغناطیس (نسبت ممان مغتاتیسی به ممان زاویه‌ای) بیان می‌شود.

مغناطیس دارای دو سرچشمه‌است:

× جریان الکتریکی (بطور کلی بار الکتریکی) که میدان پدید می‌آورد. (روابط ماکسول را ببینید)

× بسیاری از ذرات ممان‌های مغناطیسی ذاتی (اسپین) دارند (همانطور که هر ذره‌ای جرم و بار دارد، ممان مغناطیسی هم دارد که می‌تواند صفر باشد)

در مواد مغناطیسی سرچشمهٔ مغناطیس چرخش اربیتالی زاویه‌ای الکترون به دور هسته و همچنین ممان ذاتی خود الکترون است (ببینید: ممان دوقطبی مغناطیسی الکترون). سرچشمه‌های دیگری نیز وجود دارند که کم اهمیت‌ترند مانند ممان مغناطیسی هسته که هزار بار کم اثرتر از اثر الکترون است.

الکترون‌ها آرایشی دارند که ممان‌هایشان همدیگر را خنثی می‌کنند بدین گونه که ممان‌های با علامت مخالف باهم جفت می‌شوند (بر اساس اصل طرد پاولی. ببینید: پیکره‌بندی الکترون) یا زیرلایه‌های الکتروتی پر می‌شوند. اگر پیکره‌بندی الکترون به گونه‌ای باشد که لایه‌های الکترونی پر نشوند یا الکترون جفت‌نشده وجود داشته باشد، جهت‌گیری اتفاقی الکترون باز هم اثر مغناطیسی را خنثی می‌کنند.

گرچه که گاهی (بطور ناگهانی یا با کاربرد میدان بیرونی) ممان‌ها همسو شده و میدان مغناطیسی پدیدار می‌گردد.

رفتار مغناطیسی ماده وابسته به ساختار ماده (بویژه پیکره‌بندی الکترون) و دما می‌باشد (در دمای بالاتر همسو شدن ممان‌ها سخت‌تر است).